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制造,包装和材料

最佳故事

寻求曲线光掩模

为什么这项技术对芯片缩放至关重要,以及需要解决的问题。

使芯片包装更加可靠

挑战对先进包装和旧技术的新创新造成挑战。

与GaN设备垂直

技术最终可能是商业化的边缘。

应用,使用AI在FABS中的挑战

深入学习和数字双胞胎可以帮助识别模式,最终可能能够解决出现的任何问题,但它需要一段时间。

高级包装中有什么问题

更多的异构设计和包装选择在供应链中增加了挑战,从设计到制造和进入现场。

EUV颗粒最终准备好了

掩模保护的产量上升;多种来源可能降低成本。

碳纳米管FET后追逐

CNT承诺大表现改进,但难以实现一致性和更换现任技术。

晶体管和IC架构的未来

功率越大,越好。但是到达那里最好的方法是什么?

IC材料用于极端条件

美国国家航空航天局向维纳斯电子寻找SIC和钻石。

巴西铺平了新的半导体路径

在FAB竞赛中失败后,该国已开始关注资本密集型段。

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圆桌会议

应用,使用AI在FABS中的挑战

深入学习和数字双胞胎可以帮助识别模式,最终可能能够解决出现的任何问题,但它需要一段时间。

晶体管和IC架构的未来

功率越大,越好。但是到达那里最好的方法是什么?

AI和高Na EUV在3/2 / 1nm

EUV双重图案可能在3nm;发生了什么是不确定的。

挑战为euv徘徊

表格的专家:将EUV投入生产的挑战,以及为什么未来DRAM将需要高级Litho。

成熟节点的掩模/光刻问题

表格的专家:一些工具的备件是稀缺的,但他们不做一切,但它们几乎可以自由运作。购买的限制......

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多媒体

更改芯片缩放规则

曲线光掩模能力对晶体管密度的潜在影响。

7 / 5/3nm的虚拟制造

使用来自多个来源的数据来提高产量。

挑战3 / 2nm

新的结构,流程和产量/性能问题。

在光刻中使用数字双胞胎和DL

如何使用复杂的曲线数据进行逆光刻技术加快制造。

曲线全芯片intl

为什么逆光刻技术终于变成了。

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遇见eBeamers.

多束罩作家如何实现曲线形状......

无论MAS多么复杂,多光束掩模写入时间都变得恒定。
与半连接

全球Fab Equipment花费准备登录三个Straigh ...

FABS全球每年将增加约100亿美元的设备,如SPE ......
Semico Spin.

半导体资本公司在2021年增长13.0%

总市场今年达到127亿美元;三星,台积电是顶级消费者。
2021年3月23日
林科技见解

为什么新的光致抗蚀剂技术至关重要

干致抗蚀程度如何克服5米及以下的挑战。
3月18日,2021年
完善这个过程

克服下一代SRAM Cell Archit的挑战......

从3D NAND获取灵感在SRAM技术的未来。
IC包装见解

对花栗鼠的未来重振至关重要

为美国半导体行业创造更稳定的供应链。
材料科学

零缺陷的眼睛:缺陷检测和特征......

三种方法在串联中工作,以改善材料表征。
2021年1月21日
把它拼凑在一起

芯片的结构完整性

随着半导体推向具有新包装的最先进的节点,Rel ...
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领先的边缘

超越视线摩托地区通信底漆

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探索实体,人员和技术


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SoC Integration复杂性:尺寸没有(始终)

即使是小型物联网设计也可以在建筑和集成中具有大量复杂性。

等待小芯片标准

需要一个生态系统来使小芯片成为长期成功的可行策略,并且围绕标准建立了生态系统。这些标准今天开始出现。

计算数据所在的位置

计算存储方法推动电源和延迟权衡。