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在现代电源设备的景观中的SiC Mosfets


多年来,高损失的低损失是通过高碎片制造的碳化硅(SIC)MOSFET在工程师中非常流行。目前,它们主要用于IGBT(绝缘栅双极晶体管)之前是选择的主要组分。但是SiC MOSFET在今天的电力设备景观中发挥了哪种角色?使用SIC MOSFET(金属氧化物 - 半透明......“ 阅读更多

控制基于碳化硅的设备的可靠性


宽带隙碳化硅(SiC)化合物半导体的发展已经证明对功率转换应用非常有益。能够以显着更高的频率切换,并且具有更高的击穿电压特性,SiC功率晶体管迅速成为高功率密度和/或高效功率转换的有吸引力的硅替代。“ 阅读更多