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提高您对先进惯性MEMS设计的理解


基于微电路机械系统(MEMS)的惯性传感器测量加速度和旋转速率。这些传感器集成到单元中以测量运动,方向,加速度或位置,并且可以在包括智能手机,消费电子,医疗设备,运输系统,石油/天然气勘探,军事,航空和SP中的各种应用中找到。..“ 阅读更多

克服下一代SRAM细胞架构中的挑战


静态随机存取存储器(SRAM)自半导体工业早期以来一直是逻辑电路的关键元件。SRAM单元通常由6个相互连接的晶体管组成,以执行逻辑存储和其他功能。在过去的几十年里,6T(6个晶体管)SRAM电池的尺寸稳步缩小,这要归功于摩尔定律和t…“ 阅读更多

Finfets的未来在5米及以后


当接触栅节距(GP)和鳍节距(FP)缩放继续为finFET平台提供更高的性能和更低的功率时,控制RC寄生和在5nm及以上的技术节点上实现更高的晶体管性能变得具有挑战性。在与Imec的合作中,我们最近使用SEMulator3D虚拟制造来探索端到端解决方案,以更好地理解……“ 阅读更多

虚拟半导体过程评估介绍


工艺工程师使用逻辑理论框架与逻辑工程步骤相结合,为工程问题开发理想的解决方案。不幸的是,许多过程工程问题无法用蛮力解决,步骤方法来了解每个原因和效应关系。简单地有太多的过程配方变量,可以修改以制作蛮力......“ 阅读更多

虚拟制造过程窗口优化DRAM


3D存储器和逻辑设备中使用的新集成和图案化方案创造了制造和产生挑战。工业焦点从2D结构中可预测单元过程的扩展转移到复杂3D结构的完全集成越具挑战性。传统的2D布局DRC,离线晶片计量和离线电测量不再足够......“ 阅读更多

在特性相关的腐蚀过程中加速干腐蚀过程


在干法刻蚀中,由于与气体分子的碰撞和其他随机热效应,加速离子的轨迹是非均匀的、非垂直的(图1)。这对刻蚀结果有影响,因为晶圆上任何一点的蚀刻速率将取决于体腔可见的固体角度和该角度范围内的离子通量。这些非均匀和特征依赖于e…“ 阅读更多

微载荷及其对器件性能的影响


在DRAM结构中,基于电容的存储单元的充放电过程直接由晶体管[1]控制。随着晶体管尺寸接近物理可实现性的下限,制造可变性和微加载效应正日益成为DRAM性能(和屈服)的关键限制因素。晶体管的AA(有效面积)尺寸和外形…“ 阅读更多

建立预测和准确的3D过程模型


流程工程师和集成商可以使用虚拟进程建模来测试替代过程方案和架构,而无需依赖基于晶圆的测试。构建准确过程模型的一个重要方面是确保模型被校准。具有校准模型很重要,因为它为模型的过程集成商和工程师提供了保证,即该模型将重新排出......“ 阅读更多

了解先进的包装技术及其对下一代电子产品的影响


芯片封装从其传统定义扩展了用于离散芯片的保护和I / O的传统定义,以包括越来越多的方案,用于互连多种类型的芯片。通过支持高器件密度,先进的包装将增加的功能嵌入到各种电子设备中,例如蜂窝电话和自动驾驶车辆。“ 阅读更多

半导体存储器的发展和当前的挑战


第一家全电子记忆库是威廉姆斯 - Kilburn管,于1947年在曼彻斯特大学开发。它使用阴极射线管将位存储在屏幕表面上的点。计算机内存的演变以来已经包括许多磁存储器系统,例如磁性鼓存储器,磁芯存储器,磁带驱动器和磁泡内存器。自19 ......“ 阅读更多

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