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白皮书

WLP中22nm FD-SOI技术的芯片板相互作用分析

在测试22-NM FD-SOI技术平台和WLP技术时,芯片板相互作用(CBI)在跌落测试和温度周期内会发生什么。硅模具厚度和球栅阵列(BGA)冶金如何影响结果?

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近年来,晶圆级封装(WLP)的需求一直很高,特别是在移动设备应用中,作为一种实现小型化的途径,同时保持良好的电气性能。相对低廉的封装成本和简化的供应链正鼓励其他行业将WLP功能应用于射频(RF)、通信/传感(mmWave)和汽车应用。然而,到目前为止,由于具有挑战性的芯片板交互(CBI)控制,其应用空间一直局限于较小的模具形状因素。基于超低介电常数(ULK)的先进硅技术与WLP的结合是工业需要克服的另一个挑战。

本文介绍了一种基于22nm绝缘子上全耗尽硅(FD-SOI)技术平台和WLP技术的大型测试车,系统地解决了CBI问题。重点研究了机载跌落试验和温度循环过程中的CBI,并对其失效模式进行了分析。探讨了硅模具厚度和球栅阵列(BGA)冶金的影响。

关键词:晶圆级封装(WLP),再分配
层(RDL)、芯片板交互(CBI)、跌落测试、
板上温度循环(TCoB)测试

作者:

  • jae kyu cho globalfoundries ny,美国
  • Jens Paul,Simone Capecchi,Dirk Breuer和Frank Kuechenmeister Globalfoundries Saxony,德国
  • Doug Scott,Jongjin Choi,Wonjoon Kang Amkor Technology AZ,USZ

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