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白皮书

使用有机插入技术的异质整合

如何使用高密度扇出(HDFO)技术用有机插入器更换轴承的硅插入器,以实现更高的带宽模具互连,用于异构整合。

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随着先进节点硅的成本与7和5纳米节点急剧上升,高级包装即将到达十字路口,在那里它不再是将所有所需功能包装成单一的模具。虽然单模包仍将存在,但高端市场正在转向多模包,以降低整体成本并提高功能。这种转变不仅仅是添加本地存储器,例如将高带宽存储器(HBM)模块添加到应用程序特定的集成电路(ASIC)模具,还可以分离是一种单片ASIC前几代到其组成部分,例如中央处理单元(CPU)核,序列化器/解串器(SERDES)和输入/输出(I / O)块。通过将单片模具分成较小的功能块,可以通过改善较小的CPU核心的晶片产量来减少成本并从现有硅节点重新使用的较旧的Vetted知识产权(IP),用于I / O和没有的SERDE必然需要最先进的硅节点。

通过硅通孔(TSV)具有硅插入物的传统方法是硅中介体。虽然TSV方法迎来了以前从未见过的新的性能水平,但其中一个主要限制是无法延长较高且较高的频率。由于硅的诱导剂,硅插入器在模芯互连之间可以处理的最大频率是大约4GHz。由于芯片到模具互连增加了它们的带宽和更高的水平,因此4-6 GHz限制可能成为一个主要的瓶颈。消除硅和二氧化硅电介质和使用聚合物作为电介质和插入器本身可以解决这个问题。

本文将讨论如何使用高密度扇出(HDFO)技术,以有机干涉器取代承载tsv的硅干涉器,以实现更高带宽的模对模互连异构集成。

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