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白皮书

6个堆叠的垂直晶体管

SRAM Cell Architecture介绍:设计和过程挑战评估。

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本文介绍了使用六个垂直晶体管(沿Z方向的载波传输)的高级逻辑SRAM单元的新设计架构,彼此顶部堆叠。虚拟制造技术用于识别不同的过程集成方案,以便在高级逻辑节点处具有竞争性XY占地面积的这种架构的制造:在这项工作中对0.0093um2的单位小区区域进行了说明。该研究说明了虚拟制造可以是用于技术路径的关键能够实现元件,并且它可用于在磁带或晶片处理之前识别预期的模块显影挑战。

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