中文 英语

进入非易失性逻辑


正在进行研究基于铁电FET开发一种名为非易失性逻辑(NVL)的新型逻辑装置。FEFET是最近的行业会议的高兴趣的主题,但压倒性的焦点一直在记忆阵列中使用它们。然而,存储位单元只是可以存储状态的晶体管。可以在其他应用中利用。“非V ...»阅读更多

FeFETs带来了希望和挑战


铁电场效应晶体管(FeFETs)和存储器(FeRAM)引起了研究领域的高度关注。基于一种尚未被商业利用的物理机制,它们加入了其他有趣的、处于不同商业化阶段的新物理思想。他说:“FeRAM是非常有前途的,但就像所有有前途的存储技术一样,它需要一段时间来获得b…»阅读更多

周回顾:设计,低功耗


Arm成立了Cerfe实验室,开发并许可基于相关电子材料(CeRAM)和铁电晶体管(FeFETs)的新型非易失性存储器。Arm CeRAM研究人员将加入Cerfe实验室,并承担与Symetrix公司的Arm联合开发项目的所有权。在Cerfe Labs: Spin-On Memory中了解更多关于这家新公司及其技术的信息。工具和IP…»阅读更多

Cerfe Labs:自旋on内存


ARM已经脱离了其更加有趣的半导体研究项目之一,一种新的非易失性存储器类型称为相关电子材料RAM(CERAM),其具有大大降低从边缘设备到高性能计算中的所有内存成本的电位。由两名前ARM研究内部人士领导 - Eric Hennenhoefer,他将作为CEO和Greg Yeric,WH ...»阅读更多

一周审查:制造,测试


Chipmakers和OEMs恩智浦宣布在亚利桑格勒,亚利桑德勒的150毫米(6英寸)RF氮化镓(GaN)Fab的盛大开幕。据说这是美国专用于美国5G电力功率放大器的最先进的Fab。恩智浦的基于新的钱德勒的GAN Fab现在有资格,拥有市场上的初始产品,预计到2020年底的全部能力达到全部。甘,A III-V技术......»阅读更多