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IMEC的持续扩展计划


在12月的IEDM上,开幕式主题(严格来说是“全体会议1”)是由Imec的Sri Samevadam提出的。他的演讲题目是“走向原子通道和解构芯片”。他介绍了Imec对半导体未来发展的看法,包括摩尔定律(缩放)和More than More(高级封装和多模)。听Imec的世界观总是很有趣的,因为…“ 阅读更多

AI和高na EUV在3/2/1nm


德赢娱乐网站【官方平台】半导体工程与Bryan Kasprowicz讨论光刻和光掩膜的问题,他是Photronics技术团队的技术总监和杰出成员;Harry Levinson, HJL Lithography的负责人;Noriaki Nakayamada, NuFlare高级技术专家;以及D2S首席执行官藤村明(Aki Fujimura)。以下是那次谈话的摘录。竞争……“ 阅读更多

欧盟挑战和未知数3nm及以下


芯片行业正在为3nm及以后的下一阶段准备极端紫外(EUV)光刻,但挑战和未知数继续堆积。在研发方面,供应商正在研究各种各样的新EUV技术,如扫描仪,抵抗和面具。这些是必须到达未来的流程节点的必要条件,但它们比当前的EUV Pro更复杂和昂贵......“ 阅读更多

AI、芯片和面具的未来


D2S的首席执行官Aki Fujimura坐下来讨论AI和Moore的定律,光刻和光掩模技术。德赢娱乐网站【官方平台】以下是那次谈话的摘录。SE:在EBEAM倡议的最近的营养学调查中,参与者对光掩模市场的前景有一些有趣的观察。那些观察结果是什么?富士菊......“ 阅读更多

调查:电子光束倡议的杰出人物(前知觉)调查结果


2020年7月对42家不同公司的77位行业名人进行的调查显示,2019冠状病毒病对2021年业务的影响为中性,正面预测为24%,负面预测为20%。按此查看调查结果。“ 阅读更多

EUV面临的挑战依然存在


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制造部件:11月9日


Paul Scherrer研究所(PSI)开发了一种用于扫描电子显微镜(SEM)应用的开源软件技术。该技术是针对EUV电阻测量。该技术被称为SMILE (SEM- measured Image Lines Estimator),是一种开源软件技术,用于表征SEM中的线和空间模式。微笑是用来…“ 阅读更多

Si HardMask(Si-HM),EUV和零缺陷


光刻中使用的多层系统由硬掩模蚀刻转印层下方的平坦化碳层组成并用标准的光致抗蚀剂涂层盖住。在过去,啤酒科学已经深入讨论了多层系统如何帮助扩展ARF(193nm)浸入式光刻,以便能够打印和转移贪婪的功能,确保足够的流程窗口依赖于......“ 阅读更多

成熟节点的掩模/光刻问题


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通过图案化对<30nm Cd的局部关键尺寸均匀性对局部关键尺寸均匀性的影响


本文通过在显影检验(ADI)和蚀刻检验(AEI)过程中测量的局部临界尺寸均匀性(LCDU),描述了极紫外(EUV)抗蚀剂厚度对<30 nm的影响。对于相同的刻蚀后CD靶,将阻垢剂厚度从40 nm增加到60 nm有助于降低CD的变异性。这项工作是通过Coventor虚拟制造完成的…“ 阅读更多

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