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制造比特:7月21日


在最近的2020 VLSI技术和电路研讨会上,英特尔发表了一篇关于cmos兼容的自旋轨道扭矩MRAM (SOT-MRAM)器件的论文。SOT-MRAM仍在研发阶段,是旨在取代SRAM的下一代MRAM。一般来说,处理器集成了CPU、SRAM和各种其他功能。SRAM存储处理机快速需要的指令。»阅读更多

下一个新记忆


经过多年的研发,几款新一代记忆体正在逐步发展,但仍有更多的新记忆体在研发中。今天,一些新一代存储器,如MRAM、相变存储器(PCM)和ReRAM,都在不同程度上被推广。未来的一些新记忆是这些技术的延伸。还有一些基于全新的技术或涉及ar…»阅读更多

嵌入相变记忆出现


随着另一种技术——嵌入式相变存储器的出现,用于嵌入式应用程序的下一代内存市场正变得越来越拥挤。相变存储器并不是什么新事物,它已经在开发中几十年了。但由于面临诸多技术和成本挑战,这项技术需要更长的时间才能商业化。相变存储器,一种非易失性存储器类型,存储数据…»阅读更多

正确的扩展路径是什么?


传统芯片在先进节点上的扩展所面临的挑战越来越大,这促使该行业更加认真地考虑未来设备的不同选择。可伸缩技术仍在考虑之列,业界正在制定5nm及以后的计划。但不那么传统的方法正在变得更加可行,也获得了吸引力,包括先进的封装和内存计算。一些选项…»阅读更多

利息在铁电器件中生长


作为研究人员开始开发和测试下一代晶体管,铁电FET和记忆开始表现出承诺。晶体管效率的一个度量是亚阈值摆动,这是通过一个级别增加漏极电流所需的栅极电压的变化。以每十年毫伏为单位测量,在传统的MOSFET中,它限于K ...»阅读更多

记忆初创公司观看


经过数年的拖延和承诺,下一代记忆系统终于在加速发展。例如,英特尔正在推出3D XPoint,这是一种基于相变存储器的下一代技术。此外,大型铸造厂也在准备嵌入式MRAM。当然,在下一代内存领域还有很多其他的竞争者。也有一些初创公司正在飞……»阅读更多

下一代内存的提升


下一代内存市场随着供应商倾斜的一些新技术而升温,但在将这些产品纳入主流方面存在一些挑战。多年来,该行业一直在致力于各种内存技术,包括碳纳米管RAM,FRAM,MRAM,相变记忆和纪录。有些是发货,而其他人则在研发中。每个内存类型都是di ...»阅读更多

一周审查:制造,测试


去年,美光对联华电子提起诉讼,称联华电子窃取了该公司的存储技术,并将其转让给了中国的DRAM制造商金华集成电路有限公司。作为回应,联华电子于2018年1月在中国大陆法院对美光科技提起了专利侵权诉讼。»阅读更多

一个新的记忆竞争者?


一种新的铁电存储器正在形成,它可能会改变下一代存储器的面貌。一般来说,铁电体与一种称为铁电ram (FRAMs)的存储器类型有关。在上世纪90年代末,一些厂商推出了低功耗、非易失性器件,但它们也局限于小众应用,无法扩展到130纳米以上。虽然……»阅读更多

新的嵌入式记忆即将到来


在新一波微控制器(mcu)和相关芯片的推动下,嵌入式存储市场开始升温,这些芯片可能需要新的、功能更强的非易失性存储类型。该行业正在嵌入式内存领域的几个不同领域发展。一方面,传统的解决方案正在进步。在另一方面,一些供应商正在定位下一代……»阅读更多

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