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MRAM向多个方向发展


磁阻RAM(MRAM)是针对广泛商业可用性的几种新的非易失性存储器技术之一,但将MRAM设计成芯片和系统并不像添加其他类型的内存一样简单。MRAM不是全能的所有应用技术。它需要为其预期目的进行调整。瞄准Flash的MRAM也不会对SRAM进行定位,反之亦然......»阅读更多

处理阈下变异


为了延长电池寿命和降低能源成本,芯片制造商正在推进阈下操作,这给设计团队带来了一系列全新的挑战。虽然工艺和环境变化长期以来一直是先进硅工艺节点关注的问题,但大多数设计都在标准的“超阈值”制度下运行。相比之下,次阈值设计具有独特的变化……»阅读更多

半导体存储器的发展和当前的挑战


最早的全电子存储器是1947年曼彻斯特大学开发的威廉姆斯-基尔伯恩电子管。它使用阴极射线管在屏幕表面以点的形式存储比特。从那时起,计算机存储器的发展包括了许多磁性存储器系统,如磁鼓存储器、磁芯存储器、磁带驱动器和磁泡存储器。自从19…»阅读更多

中国加快发展先进芯片


中国正在加快努力推动其国内半导体产业,在持续与西方的贸易紧张局势中,希望变得更加自足。该国仍然落后于IC技术,无处可行而自力更生,但它正在取得明显进展。直到最近,中国的国产芯片制造商陷入了成熟的铸造工艺,没有Pres ...»阅读更多

AI边缘芯片的内存问题


有几家公司正在为网络边缘的系统开发或提升人工智能芯片,但供应商面临着围绕过程节点和内存选择的各种挑战,这些挑战可能因应用程序的不同而有很大差异。网络边缘涉及一系列产品,从汽车、无人机到安全摄像头、智能扬声器,甚至企业服务器。所有这些应用。»阅读更多

驯服新NVM非决定论


新的存储技术可能具有不确定性特征,从而增加了测试负担,并可能在其生命周期内需要重新校准。许多这样的存储器都在开发中,这是为了寻找一种存储类存储器(SCM)技术,这种技术可以弥合较大、较慢的存储器(如闪存)和较快的DRAM存储器之间的差距。有几种方法…»阅读更多

为什么标准记忆选择如此令人困惑


系统架构师越来越越来越基于特定用例开发自定义内存架构,即使基本内存构建块已经超过半个以上,也可以增加设计过程的复杂性。权衡的数量随着数据量飙升。Memory带宽现在是应用程序的门控因子,以及传统的记忆库......»阅读更多

利用计算内存


为了使系统变得更快并消耗更少的电力,它们必须停止浪费移动数据所需的电力,并开始在内存附近添加处理。这种方法已经被证实,并且产品正在进入市场,以填补许多角色。近内存处理,也被称为计算内存,十多年来一直隐藏在阴影中。自从……»阅读更多

电源/性能位:4月16日


北卡罗来纳州立大学的CNN培训研究人员开发了一种技术,可以减少深度学习网络的培训时间超过60%而不会牺牲准确性。卷积神经网络(CNN)将图像分成块,然后通过一系列计算过滤器运行。在培训中,需要重复数千到数百万的图像......»阅读更多

3D NAND测量技术面临着不断增长的挑战


3D NAND供应商面临几项挑战,以将其设备扩展到下一个级别,但是在每个转弯学中,一个制造技术突出了更困难。Metrology,测量和表征结构的艺术用于定位问题并确保所有芯片类型的产量。在3D NAND的情况下,计量工具在每次迭代时都变得越来越昂贵......»阅读更多

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