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寻求曲线光掩模


半导体行业在高级曲线上的开发方面取得了明显的进展,这项技术在最先进的节点中对芯片设计具有广泛影响的技术以及更快地制造这些芯片的能力。现在的问题是该技术何时将超越其基于利基的地位和升级为大批量生产。因为你......“ 阅读更多

EUV颗粒最终准备好了


经过一段延迟后,EUV薄片正在出现并成为临界芯片的大量生产的要求。同时,极端紫外线(EUV)光刻的薄膜景观正在发生变化。ASML是EUV薄片的唯一供应商,正在将这些产品的装配和分配转移到Mitsui。其他人也是开发EUV的薄膜,是一个下一代......“ 阅读更多

回顾周:制造、测试


Chipmakers和OEM第三点是对冲基金,发布了一封信,称英特尔需要探索其战略替代品。这包括芯片巨头的分手。由雅虎和其他人获得,这封信表示英特尔需要决定“英特尔是否应留下综合设备制造商”,并应剥离某些失败的收购。这是对坐的另一种分析......“ 阅读更多

欧盟挑战和未知数3nm及以下


芯片行业正在为3nm及以后的下一阶段准备极端紫外(EUV)光刻,但挑战和未知数继续堆积。在研发方面,供应商正在研究各种各样的新EUV技术,如扫描仪,抵抗和面具。这些是必须到达未来的流程节点的必要条件,但它们比当前的EUV Pro更复杂和昂贵......“ 阅读更多

EUV在3nm及以下的未来不确定


几家铸造厂将极端的紫外线(EUV)光刻转移到7nm和5nm的生产中,但现在行业正在为3nm及以后的技术准备该技术的下一阶段。在研发方面,该行业正在开发新的EUV扫描仪,掩码和抵抗下一个节点。3nm为2022,然后每年2nm或两个后来。尽管如此,它需要大量资金......“ 阅读更多

提高EUV工艺效率


半导体行业正在重新思考极端紫外线(EUV)光刻的制造流程,以改善整个过程并减少工厂中的废物。供应商目前正在开发新的和潜在的突破性的Fab材料和设备。这些技术仍在研发中,尚未得到证实。但如果他们按计划工作,他们可以提高浮动......“ 阅读更多

下一代设备的光刻选项


芯片制造商正在升高极端紫外线(EUV)光刻,用于7nm和/或5nm的晚期逻辑,但EUV并不是表中唯一的光刻选项。一段时间,该行业一直在努力各种各样的下一代光刻技术,包括新版本的EUV。每个技术都不同,旨在不同的应用。有些人今天在这里,...“ 阅读更多

回顾周:制造、测试


Chipmakers Trendforce发布了2019年第一季度的铸造排名。根据该公司的说法,TSMC仍然是明确的领导者,随后是三星,GlobalFoundries和UMC的陈述。所有刚刚的刚才都是一个艰难的季度。三星已推出其新的高带宽内存(HBM2E)产品。新的解决方案称为FlashBolt,是行业的第一个HBM2E,提供3.2Gbps ...“ 阅读更多

寻找EUV缺陷


芯片制造商希望在7nm和/或5nm下插入极端紫外(EUV)光刻,但在这种延迟技术可用于生产之前,需要解决几个挑战。一个挥之不去的问题正在变得越来越令人担忧的是如何找到由[gettech id =“31045”评论=“euv”]进程引起的缺陷。这些过程可能导致随机变化,也称为随机效果......“ 阅读更多

EUV的新问题领域


极紫外(EUV)光刻技术正在接近生产,但是有问题的变化——也被称为随机效应——正在浮出水面,并给这项早该问世的技术带来了更多的挑战。GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电希望将EUV光刻技术应用到7nm和/或5nm的生产中。但像以前一样,EUV由几个组成…“ 阅读更多

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