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制造钻头:4月27日


Next-Gen Neuromorphic计算欧盟(欧盟)推出了一个新项目,用于开发用于神经形态计算系统的下一代设备。该项目称为MEM-SCALES,计划开发一种新颖的算法,设备和电路,可再现生物神经系统的多时间尺度处理。结果将用于构建神经形态计算系统的...»阅读更多

对AI系统可以做的限制


新技术和方法开始应用于AI和机器学习,以确保它们在可接受的参数中运作,只执行他们应该做的事情。获得AI / ML / DL系统近年来一直是技术的最大跨利赛之一,但了解如何控制和优化它们,因为它们的适应并不差不多。这些系统是Faverall ...»阅读更多

制造比特:3月30日


开放获取量子计算桑迪亚国家实验室已经开始为其量子计算试验台提供开放获取计划。Sandia将使研究人员能够利用其所谓的量子科学计算开放用户试验台(QSCOUT)探索一系列新技术,如化学、材料科学和数学。量子计算机有望解决……»阅读更多

EUV薄膜终于准备好了


经过一段延迟后,EUV薄片正在出现并成为临界芯片的大量生产的要求。同时,极端紫外线(EUV)光刻的薄膜景观正在发生变化。ASML是EUV薄片的唯一供应商,正在将这些产品的装配和分配转移到Mitsui。其他人也是开发EUV的薄膜,是一个下一代......»阅读更多

一周审查:制造,测试


Chipmakers和OEMs Micron将停止开发3D XPoint,下一代内存技术。Micron还计划出售生产3D XPoint芯片的Fab。有一段时间,英特尔和微米具有共同开发的3D XPoint,其基于相变存储器技术。英特尔使用3D xpoint出售固态存储驱动器(SSD)。在位于犹他州的Fab中,Micron正在制作这个备忘录......»阅读更多

追逐碳纳米管场效应晶体管


碳纳米管晶体管最终在近四分之一世纪在研发之后进行高级逻辑芯片的潜在应用进展。现在的问题是他们是否会从实验室移出并进入工厂。多年来几个政府机构,公司,铸造厂和大学一直在开发,现在正在制定碳纳米管场 - 效应Transi的进步。»阅读更多

MRAM在多个方向发展


磁阻RAM(MRAM)是针对广泛商业可用性的几种新的非易失性存储器技术之一,但将MRAM设计成芯片和系统并不像添加其他类型的内存一样简单。MRAM不是全能的所有应用技术。它需要为其预期目的进行调整。瞄准Flash的MRAM也不会对SRAM进行定位,反之亦然......»阅读更多

一周审查:设计,低功率


Tools Synopsys推出了Euclide,下一代硬件描述语言(HDL)-aware集成开发环境(IDE)。Euclide旨在通过在SystemVerilog和UVM开发期间识别复杂的设计和测试平台合规性检查来实现对错误的错误和优化设计和验证流程的代码。它有助于正确构建的代码开发...»阅读更多

巴西铺平了新的半导体路径


在努力在过去几年中脱离地面后,巴西终于可能在市场上找到了IC设计服务,内存模块和包装的市场。当谈到半导体时,巴西在雷达中存在很好。但很少或没有粉丝,多年来一直试图建造工厂,组装筹码......»阅读更多

打破2nm障碍


芯片制造商继续在最新流程节点上使用晶体管技术进行进步,但这些结构中的互连正在努力保持步伐。芯片行业正在致力于解决互连瓶颈的几种技术,但许多解决方案仍在研发中,可能不会出现一段时间 - 可能直到2nm,这是预期的...»阅读更多

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