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制造比特:2月2日


最近2020年国际电子设备会议(IEDM)的电容器DRAM,IMEC在新型电容器的DRAM单元架构上呈现了一篇论文。DRAM用于系统中的主内存,当今最先进的设备基于大约18nm至15nm的进程。DRAM的物理限制在10nm附近。DRAM本身基于一个晶体管,一个电容器......“ 阅读更多

制造比特:12月31日


Gan-On-SOI电力半决赛在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM),IMEC和KU Leuven在绝缘体上的含镓(GAN)上呈现了一篇论文,用于开发GaN电力设备。随着GAN-ON-ON-SOI技术,研究人员开发了一个200伏GAN电源半导体器件,具有集成的驱动器和快速的开关性能。......“ 阅读更多

需要技术突破


经过多年的拖延,极紫外(EUV)光刻终于在7nm逻辑节点生产,5nm的工作。EUV是一种下一代光刻技术,肯定会帮助芯片制造商迁移到下一个节点。但EUV并不能解决所有问题。它也没有解决半导体行业的所有挑战。绝对不是。可以肯定的是,这个行业需要……“ 阅读更多

制造比特:12月16日


在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上,Imec和Leti宣布了在某些领域进行合作的计划。这两个研发机构计划在两个领域合作——人工智能(AI)和量子计算。Imec和Leti一直分别致力于基于各种下一代内存架构的人工智能技术。两个entitie……“ 阅读更多