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Fefet带来承诺和挑战


铁电场效应晶体管(FeFETs)和存储器(FeRAM)引起了研究领域的高度关注。基于一种尚未被商业利用的物理机制,它们加入了其他有趣的、处于不同商业化阶段的新物理思想。他说:“FeRAM是非常有前途的,但就像所有有前途的存储技术一样,它需要一段时间来获得b…“ 阅读更多

移动数据和计算在一起更近


处理器的速度已经提高到不再是许多系统的性能瓶颈的程度。现在是关于数据访问。移动数据既消耗时间又消耗能量,开发者正在寻找减少数据移动距离的方法。这意味着使数据和内存更接近彼此。“硬盘没有足够的数据流来cr…“ 阅读更多

NVM的可靠性挑战和权衡


这是两部分中的第二部分,将探讨不同的记忆和可能的解决方案。第一部分可以在这里找到。尽管各种NVM技术,如PCRAM、MRAM、ReRAM和NRAM具有相似的高级特性,但它们的物理渲染却截然不同。这为每一个提供了自己的挑战和解决方案。PCRAM有一段令人担忧的历史。最初由三星发布,美光,一个…“ 阅读更多

DRAM的未来是什么?


内存——尤其是DRAM——已经成为人们关注的焦点,因为它发现自己正处于提高系统性能的关键路径上。这不是DRAM第一次因为性能而成为关注的焦点。问题是,并不是每件事都在以相同的速度发展,从处理器性能到晶体管设计,甚至是t…“ 阅读更多

在新的非易失性记忆中


人们还在继续寻找新的非易失性存储器(nvm),以挑战现有的技术,但在任何技术被接受之前,它必须被证明是可靠的。“每个人都在寻找一种通用的记忆,”富士通高级营销经理TongSwan Pang说。“不同的技术有不同的可靠性挑战,并不是所有的技术都能应用于汽车行业。“ 阅读更多

PCIe 5.0钻头


Suresh Andani, senior director of product marketing for SerDes IP at Rambus, digs into the new PCI Express standard, why it’s so important for data centers, how it compares with previous versions of the standard, and how it will fit into existing and non-von Neumann architectures.“ 阅读更多

驯服新NVM非决定论


新的存储技术可能具有不确定性特征,从而增加了测试负担,并可能在其生命周期内需要重新校准。许多这样的存储器都在开发中,这是为了寻找一种存储类存储器(SCM)技术,这种技术可以弥合较大、较慢的存储器(如闪存)和较快的DRAM存储器之间的差距。有几种方法…“ 阅读更多

非易失性记忆权衡加强


在高级节点上,非易失性内存变得更加复杂,价格、速度、功率和利用率都涉及到一些特定于应用程序的内存放置位置的权衡。NVM可以嵌入到芯片中,也可以通过各种互连技术将其移出芯片。但这个决定比乍看起来要复杂得多。这取决于……“ 阅读更多

解决内存瓶颈


芯片制造商正在争先恐后地解决处理器和内存之间的瓶颈,并且他们正在根据几个月前预期的速率来改变基于不同架构的新设计。问题是如何在系统中提升性能,特别是在边缘处的性能,其中需要在本地或区域地处理大量数据。传统的方法哈...“ 阅读更多

内存中处理能工作吗?


从性能和能力方面来说,与将数据移进和移出内存相关的成本越来越高,而算法中的数据局部性限制了缓存的有效性,使其变得更糟。其结果是对冯·诺伊曼架构的第一次严重攻击,该架构对于计算机来说是简单的、可伸缩的和模块化的。它把计算的概念…“ 阅读更多

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