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突破2nm屏障


芯片制造商在最新工艺节点的晶体管技术方面继续取得进展,但这些结构内部的互连很难跟上步伐。芯片行业正在研究几种解决互连瓶颈的技术,但许多解决方案仍在研发中,可能在一段时间内不会出现,可能要到2nm时才会出现。»阅读更多

构建MRAM阵列


MRAM作为一种中等类型的内存,在各种设计中获得了越来越多的关注,但它花了这么长时间才将其推向市场是有原因的。典型的磁阻RAM结构是基于CoFeB磁层,并带有MgO隧穿势垒。参考层的净磁化强度应该为零,以确保它不会影响自由层的方向。»阅读更多

在3nm及以上控制可变性和成本


Richard Gottscho,LAM研究执行副总裁和CTO,坐落在半导体工程中,讨论如何利用制造设备中传感器的更多数据,迁移到新的过程节点,以及可能产生很大影响德赢娱乐网站【官方平台】的啤酒和材料的进步关于控制成本。以下是那次谈话的摘录。SE:随着更多传感器加入...»阅读更多

新节点,材料,记忆


应用材料公司高级产品技术开发副总裁兼总经理、Maydan技术中心负责人Ellie yeeh接受半导体工程采访,讨论了先进节点和新应用面临的挑战、变化和解决方案。德赢娱乐网站【官方平台】以下是那次谈话的摘录。SE:我们能走多远?»阅读更多

四个铸造厂返回MRAM


四大晶圆代工厂计划在今年或明年之前将MRAM作为一种嵌入式存储解决方案提供给用户,为最终被证明是改变下一代存储技术的技术奠定了基础。GlobalFoundries、Samsung、TSMC和UMC计划开始提供自旋转移扭矩磁阻RAM (ST-MRAM或STT-MRAM),作为NOR闪存的替代或替代,可能开始…»阅读更多

包装内的英特尔


Mark Bohr, Intel的高级研究员和流程架构和集成总监,接受了半导体工程的采访,讨论了封装中多芯片集成的重要性,对异构性的重视程度,以及在7nm和5nm上的预期。德赢娱乐网站【官方平台】以下是采访的节选。SE:在设计上有一种趋向于更多的异质性的趋势。英特尔显然……»阅读更多

为嵌入式STT MRAM启用磁隧道结阵列处理


半导体行业正在进入下一代存储技术的新时代,几个重大变化正在形成。其中之一就是磁性随机存储器(MRAM)的出现。在几篇文章中,我将提供推动MRAM采用的背景,突出一些最初的挑战,并讨论使STT MRAM在商业上可行的进展。今天,一个典型的…»阅读更多

电镀IC包装


IC包装的电化学沉积(ECD)设备市场加热为2.5D,3D和扇形技术开始坡道。[GetEntity ID =“22817”E_NAME =“应用材料”最近推出了IC包装的ECD系统。此外,LAM研究,TEL和其他人在不断增长但竞争激烈的ECD设备市场中竞争。ECD - 有时被称为PL ...»阅读更多

与Fab Cycle作战


从平面设备到FinFET的转变使芯片制造商能够将其过程和设备从16nm / 14nm和超出扩展,但行业面临每个节点的几个挑战。成本和技术问题是显而易见的挑战。此外,循环时间 - 芯片缩放方程的钥匙但不太公布部分 - 也在每次转弯时都在增加,为芯片制造商创造了更多焦虑的焦虑。»阅读更多

互连挑战升起


芯片制造商正在升高其14nm的Finfet流程,10nm和7nm,今年晚些时候可能会发货或下一个。在10nm及更大时,IC供应商被确定为缩放[GetKC ID =“185”KC_Name =“FinFET”结构的两个主要部分结构 - 晶体管和互连。通常,晶体管缩放将在高级节点处保持具有挑战性。在那之上,互连......»阅读更多

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