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制造比特:4月20日


支持环保的SiC动力半研发地球日将于4月22日在本周举行。科技在环境中扮演着重要角色。政府、公司、研发机构和大学正在开发大量的环境相关技术。举个例子,斯旺西大学从英国政府获得了480万英镑的奖励。“ 阅读更多

在现代电源设备的景观中的SiC Mosfets


多年来,碳化硅(SiC) mosfet的高击穿场可能的低损耗使其在工程师中非常受欢迎。目前,它们主要用于igbt(绝缘栅双极晶体管)已经成为普遍的选择元件的领域。但是SiC mosfet在当今的功率器件中扮演着什么样的角色呢?With SiC mosfet (metal - oxide - semi…“ 阅读更多

控制基于碳化硅的设备的可靠性


宽带隙碳化硅(SiC)化合物半导体的发展已被证明是非常有益的电源转换应用。SiC功率晶体管能够在显著更高的频率上进行开关,并具有更高的击穿电压特性,正迅速成为高功率密度和/或高效率功率转换器的有吸引力的硅替代品。“ 阅读更多

增加封装的导电密度


宽带隙(WBG)半导体技术为功率封装带来了新的挑战和机遇。与硅mosfet相比,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等发展具有更高的性能值(FOM),并扩展了功率电子器件的效率、输出功率和/或开关频率范围和工作温度范围。较低的损失……“ 阅读更多

48V应用驱动电源IC封装选项


制造过程和模具获得了大部分的关注,但包装在实现和限制性能,可制造性方面发挥了重要组件,特别是当涉及功率设备的可靠性时。鉴于广泛的底层半导体电源装置技术 - “基本”硅,宽带隙碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),功率水平......“ 阅读更多

移动性和5G驱动器采用新材料的电力设备


电动移动性,可再生能源和其他技术创新,如IOT,5G,智能制造和机器人,都需要可靠性,效率和紧凑的电力系统,加以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的采用以支持较低电压在明显较小的设备中。但筹码设计师必须克服INT的技术和经济挑战......“ 阅读更多

利用原子层工艺进行高级图案化的新型蚀刻技术


我们证明了Si3N4和SiC的高选择性和各向异性等离子体蚀刻。所证明的方法包括一系列离子改性和化学干燥除去步骤。具有H离子修饰的Si3N4蚀刻显示出对SiO 2和SiC膜的高选择性。此外,我们已经开发了具有N离子修改的SiC的选择性蚀刻。另一方面,在图案化蚀刻工艺中,......“ 阅读更多

制造比特:9月22日


美国空军研究实验室的毛茸茸的纳米粒子正在开发一种称为常常见聚合物接枝纳米颗粒或“毛状纳米颗粒”(HNP)的新型材料。HNP可用于制造由陶瓷复合材料制成的新一类飞机部件。HNP是混合材料。它根据T ...的基于聚合物壳,其与纳米颗粒核心结合...“ 阅读更多

一周审查:制造,测试


据报道,贸易,美国最近对华为实施了对美国芯片销量的更多限制。作为回应,半自会发布了以下声明,以回应美国商务部宣布的新出口管制规则变更:“半自会认识到出口管制措施的作用,以解决对美国国家安全的威胁。但是,我们非常关注新出口......“ 阅读更多

Power AMP Wars开始5G


5G基站对功放芯片和其他射频设备的需求正在增加,为不同公司和技术之间的摊牌创造了条件。功率放大器器件是提高基站射频功率信号的关键部件。它基于两种具有竞争力的技术,硅基LDMOS或射频氮化镓(GaN)。GaN,一种III-V技术,表现优于…“ 阅读更多

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