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对硅晶圆市场看到的Upturn


经过2019年的低迷后,预计硅晶圆市场将在2020年反弹。2021年对硅晶片看起来更好。硅晶片是半导体业务的基本部分。每个芯片制造商都需要在一个尺寸或另一个尺寸上购买它们。硅晶片供应商生产并将裸露的硅晶片销售给芯片制造商,他们又将它们处理成芯片。硅晶片ma ...“ 阅读更多

互补场效应晶体管(cet)工艺集成选项的基准研究:散装、SOI和DSOI起始基板的比较


Sub-5 NM逻辑节点将需要极高的创新级别,以克服这种增加的设备密度的固有的房地产限制。一种提高装置密度的方法是看垂直装置尺寸(Z方向),彼此顶部的堆叠装置,而不是常规并排。互补场效应晶体管的制造(CF ...“ 阅读更多

ESD要求正在发生变化


用于指定芯片耐用静电放电(ESD)的能力的标准正在发生变化 - 在某些情况下,更加艰难,在其他情况下,放松。ESD保护一直在一定尺寸适合的路径上,所有方法都是信号的使用有助于确定它应该得到什么样的保护。保护芯片免受ESD损坏的是IC设计的长期部分......“ 阅读更多

基于虚拟制造的互补场效应晶体管工艺集成方案的基准研究


采用不同设计和起始衬底(Si体、绝缘体上硅或双soi)的互补场效应晶体管(C-FET)的四种工艺流程选择进行了比较,以评估工艺变化失效的概率。该研究使用虚拟制造技术进行,而不需要制造任何实际的测试晶圆。在这项研究中,Nanosheet-on-Nanoshe…“ 阅读更多

现代SOI技术中超低功耗电流转向DAC的设计


尽管上个世纪在数字化和信号处理方面的创新取得了巨大进步,但现实世界的信号在本质上不可避免地是模拟的。数字模拟转换器(DAC)将这些数字信号转换成不同的模拟量,如电压、电流或电荷。Nyquist-rate current-steering digital- to-analog converte的翻译结果:“ 阅读更多

制造比特:12月31日


Gan-On-SOI电力半决赛在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM),IMEC和KU Leuven在绝缘体上的含镓(GAN)上呈现了一篇论文,用于开发GaN电力设备。随着GAN-ON-ON-SOI技术,研究人员开发了一个200伏GAN电源半导体器件,具有集成的驱动器和快速的开关性能。......“ 阅读更多

互补场效应晶体管(cet)工艺集成方案的基准研究


Sub-5 NM逻辑节点将需要极高的创新级别,以克服这种增加的设备密度的固有的房地产限制。一种提高装置密度的方法是看垂直装置尺寸(Z方向),彼此顶部的堆叠装置,而不是常规并排。[1]互补场效应晶体管的制造......“ 阅读更多

制造比特:4月23日


欧洲核子研究中心和达姆施塔特GSI已经开始测试两个巨型磁体中的第一个,这将成为世界上最大、最复杂的加速器设施之一的一部分。欧洲核子研究组织(CERN)最近从GSI获得了两块磁铁。两块磁铁重达27吨。在接下来的五年里,将有大约60个磁体紧随其后。这些……“ 阅读更多

硅片行业的前景喜忧参半


经过一段时间的记录增长,硅晶片行业于2019年开始缓慢,并面临混合前景。通常,200mm硅晶片供应保持紧。但需要300mm硅晶片的需求在一些部分中冷却,导致供应在短缺期后朝向均衡。但是,尽管如此,硅晶圆价格仍然继续上涨。......“ 阅读更多

制造比特:1月2日


更好的纳米线MOSFET在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM),IMEC和应用材料上提出了一种关于一种新的和改进的方式来制造垂直堆叠的门 - 全部MOSFET。更具体地说,IMEC和应用报告了硅纳米线MOSFET的过程改进,该MOSFET集成在CMOS双工作功能金属替换金属GA ...“ 阅读更多

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