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死亡压力成为一个主要问题


压力越来越重要,可以在高级节点和高级包中识别和计划,其中一个简单的错配会影响整个预测的寿命的性能,功率和设备的可靠性。在过去的情况下,系统中的芯片,包装和板通常是单独设计的,并通过芯片的接口连接到包装,从包装中连接到包装中......»阅读更多

2D材料的好与坏


尽管有多年的警告达到硅的极限,但特别是在电子移动性受到限制的前沿过程节点,但仍然没有明显的替代。硅的数十年来,集成电路行业的长期主导地位仅是由于材料的电子特性。锗,砷化镓和许多其他半导体提供高级Mobili ...»阅读更多

在高级节点上增加挑战


GlobalFoundries的首席技术官Gary Patton坐下来讨论半导体工程,讨论堆叠模具,可以延长FD-SOI多远,以及互连和晶体管的德赢娱乐网站【官方平台】新方向。以下是对话的摘录。SE:你在哪里看到未来节点的问题?帕顿:在设备级别,我们必须能够模式这些东西......»阅读更多

10nm后的是什么?


一段时间以来,芯片制造商在每个节点上大约增加了晶体管的数量,同时将成本降低了约29%。反过来,集成电路的规模化使芯片的速度更快、成本更低,最终转化为更廉价、功能更丰富的电子产品。消费者已经习惯了摩尔定律的好处,但问题是这种好处还能持续多久?基于芯片的……»阅读更多

Mobility通过扩展EPI应用程序获得升级


由Jeremy Zelenko甚至随着行业进入高k金属门(HKMG)和Finfet晶体管的时代,芯片制造商继续寻求提高设备性能的方法。目前所取得的应用材料公告的最新进展之一是将外延沉积从PMOS扩展到NMOS晶体管。除了Estab之外,实施NMOS外延(EPI)过程......»阅读更多

Glofo说28nm FD-SOI模具成本远低于28nm批量HPP


发表于Adele Hars,主编,先进的基板新闻~~根据Shigeru Shimauchi,乡村经理,GlobalFoundries日本,对于同一性能水平,28nm FD-SOI的模具成本将大于28nm散装HPP(“高性能加”)。具体而言,在28nm散装LPS趋势超过28nm批量LPS趋势下获得30%的性能,HPP增加了......»阅读更多

VLSI京都 - SOI论文


由Adele Hars有一些突破性的FD-SOI和其他优秀的SOI论文,其中2013年在京都(2013年6月10日至14日)的VLSI技术和电路上出来了。通过解释,VSLI包括两个专题因素:一个技术;一个在电路上。但是,与两者相关的文件是在“Jumbo联合焦点”会议中的论文。这些论文应该是......»阅读更多

IEEE SOI会议上FD-SOI的聚光灯; 1-4八月,纳帕


第38届年度SOI会议即将到来。由IEEE电子设备协会赞助,这是唯一覆盖从材料到设备,电路和系统应用的全技术链的专用SOI会议。今年由Gosia Jurczak(IMEC的回忆计划经理)主持,这次出色的会议非常值得参加。这是......的巨人»阅读更多

Leti查看使用FD-SOI的应变为高兴的应用程序


Leti研究FD-SOI的研究人员在它中具有极其深厚的专业知识。他们看过的一个领域是表演助推器。凭借对FD-SOI的兴趣在最近的ST-GF公告的高跟鞋上迅速增加,他们的工作变得更及时。一个关键的Leti团队写了一些最近的应变工作的摘要,该工作首次出现作为高级Substra的一部分......»阅读更多