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MRAM在多个方向发展


磁阻RAM (MRAM)是几种新的非易失性存储器技术之一,目标是广泛的商业可用性,但将MRAM设计到芯片和系统中并不像添加其他类型的存储器那么简单。MRAM并不是一种适用于所有应用的技术。它需要为其预期的目的进行调整。mram瞄准flash不如瞄准sram,反之亦然…»阅读更多

制造比特:2月2日


在最近的2020年国际电子器件会议(IEDM)上,Imec发表了一篇关于新型无电容DRAM电池结构的论文。DRAM被用于系统中的主存,而当今最先进的器件都是基于大约18nm到15nm的工艺。DRAM的物理极限在10nm左右。DRAM本身是基于单晶体管,单电容…»阅读更多

更多的数据,更多的内存扩展问题


随着需求的增加,所有类型的记忆都面临压力,因为需求增长,更低的成本,更快的速度和更低的电源来处理正在日常生成的新数据的进入。无论是既良好的内存类型还是新颖的方法,还需要继续工作,以保持缩放向前移动,因为我们需要在加速速度上增长。“数据是这个的新经济......»阅读更多

DRAM, 3D NAND面临新的挑战


对于记忆市场来说,这是一个混乱的时期,而且还没有结束。到目前为止,2020年,对两种主要内存类型——3D NAND和DRAM的需求略好于预期。但现在,随着经济放缓、库存问题和持续的贸易战,市场出现了一些不确定性。此外,3D NAND市场正在走向新技术一代,但一些是enc…»阅读更多

制造钻头:7月21日


英特尔在最近的2020年关于VLSI技术和电路专题讨论会的Next-Gen MRAM,英特尔在CMOS兼容的旋转轨道转矩MRAM(SOT-MRAM)设备上呈现了一张纸。仍然在研发,SOT-MRAM是一个旨在取代SRAM的下一代MRAM。通常,处理器集成了CPU,SRAM和各种其他功能。SRAM存储Processo快速需要的指令......»阅读更多

原子层蚀刻开拓新市场


半导体行业正在开发原子层蚀刻(ALE)的下一波应用,希望在一些新兴市场获得立足点。ALE是一种在原子尺度上去除材料的下一代蚀刻技术,是工厂中加工先进设备的几种工具之一。ALE在2016年左右开始生产部分应用,尽管该技术…»阅读更多

神经形态计算驱动人工智能soc的新兴记忆景观


深度机器学习和人工智能(AI)的步伐正在从硬件架构、软件、芯片制造和系统封装的各个层面改变计算世界。两项重大进展为机器学习中应用新技术打开了大门。首先,系统可以处理大量的数据,即“大数据”。第二,先进……»阅读更多

制造钻头:4月21日


马萨诸塞大学阿默斯特分校(University of Massachusetts Amherst)在实现神经形态计算方面迈出了一步——它设计了基于蛋白质纳米线的生物电压记忆电阻器。在神经形态计算中,其理念是使记忆更接近处理任务,从而加速系统。为此,该行业正试图用硅来复制大脑。目标是……»阅读更多

在新的非易失性记忆中


该搜索继续为新的非易失性记忆(NVM)挑战现有的现有国家,但在任何技术可以接受之前,必须证明它可靠。“每个人都在寻找普遍存存,”富士通高级营销经理Tongswan Pang说。“不同的技术具有不同的可靠性挑战,并非所有技术都可以在汽车G中运行......»阅读更多

AI边缘芯片的内存问题


有几家公司正在为网络边缘的系统开发或提升人工智能芯片,但供应商面临着围绕过程节点和内存选择的各种挑战,这些挑战可能因应用程序的不同而有很大差异。网络边缘涉及一系列产品,从汽车、无人机到安全摄像头、智能扬声器,甚至企业服务器。所有这些应用。»阅读更多

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